Samsung 8GB DDR4-2666 CL19 (M471A1K43CB1-CTD)
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![Samsung 8GB DDR4-2666 CL19 (M471A1K43CB1-CTD)]( "Samsung 8GB DDR4-2666 CL19 (M471A1K43CB1-CTD)")
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Samsung M471A1K43CB1-CTD módulo de Memoria, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM, 1.2 V,... |
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📄 Características
| kit | no |
|---|---|
| Color | verde |
| Diseño | DIMM |
| Paquete | Single Kit |
| Voltaje | 1,2 V |
| Factor de forma | 288-pin |
| Tipo de producto | 8GB DDR4 |
| Especificación | PC4-21.300 |
| Frecuencia del bus | 2.666 MHz |
| Tiempo de latencia | CL 19-23-23-45 |
| Capacidad de memoria | 8 GB |
| Estructura de la memoria RAM | Dual-Channel |
| Temperatura máxima de funcionamiento | 85 ° C |
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| Precio | 27,00€ | 31,00€ |
|---|---|---|
| Marca | Samsung | Samsung |
| Tipo de producto | 8GB DDR4 | 8GB DDR4 |
| Capacidad de memoria | 8 GB | 8 GB |
| Especificación | PC4-21.300 | PC4-19.200 |
| Frecuencia del bus | 2.666 MHz | 2.400 MHz |
| Tiempo de latencia | CL 19-23-23-45 | CL 16-16-16-36 |
| Estructura de la memoria RAM | Dual-Channel | Dual-Channel |
| Factor de forma | 288-pin | 288-pin |
| kit | no | no |
| Paquete | Single Kit | Single Kit |
| Color | verde | verde |
| Diseño | DIMM | DIMM |
| Temperatura máxima de funcionamiento | 85 ° C | 85 ° C |
| Voltaje | 1,2 V | - |
La comparativa superior muestra las diferencias entre ram ddr4 Samsung 8GB DDR4-2666 CL19 (M471A1K43CB1-CTD) vs Samsung 8GB DDR4-2400 CL16 (M378A1K43CB2-CRCD0)
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